CVD全英文是Chemical Vapor Deposition中文是“化学气相淀积”，是指含有构成薄膜元素的气态反应剂，液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室里，管式电炉在衬底表面发生化学反应生成薄膜的重要过程。

 
     曾经在VCD机生产商竞争的年代，内部定制的一种碟片标准，具有多层菜单，用的C-CUBE公司的芯片. 

    在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。

    CVD的特点淀积温度低，薄膜成份易控膜厚淀积时间成正比，均匀性重复性好，电炉台阶覆盖性优良。