样品衍射数据及基准图谱(pdf卡片2-1078)数据对比见表1。因此，gan材料在制备高温，高频，大功率元件对及光存储，光探测等方面有着广泛使用远景。另外，gan还具有优良热不乱性，化学不乱性与高热导率，高击穿电压，高电子饱与速度等特性。在管式炉中部，沿气流方向，依次放置ga2o3与衬底，二者相距5cm。

    x射线衍射数据实验在y-4q型x射线衍射仪上完成。 枢纽词：氮化镓；ga2o3；氨气中图种别名：tn304．23 文献标识码：a 文章编号：1671-4776(2003)10-0027-03

    氮化镓是一种优秀宽带隙化合物半导体材料，室温下禁带宽度为3.4ev。在500-4000cm-1范围内扫描。对上研究说明使用氮化ga2o3方法，成功地在si衬底上合成了高质量gan晶体颗粒。 2 实 验

    数据实验对ga2o3为ga源，nh3为n源，通过氮化说明合成gan晶粒。数据实验环境为：cu靶，ni滤波片，双soller准直系统，λkα=0． 154178nm狭缝系统为1°-1°-0．2mm，正比计数器，用si标样校准仪器。作为良好光电半导体材料，gan在短波长光电元件领域(如蓝绿光发光管led，激光器id)及紫外波段探测器箱式炉研究成果方面备受正视[1-3]。但上述方法设备昂贵，工艺方法复杂，影响了gan基半导体光电元件大规模出产与使用，探索一种简易合成gan材料工艺方法已十分必要。

    海内外良多研究成果机构采用金属有机物质汽相外延(mocvd)[4]，分子束外延(mbe)[5]及高频等离子体化学汽相沉积(plasma cvd)[6]技术信息等在不同衬底上生长高质量gan薄膜。数据实验中所用ga2o3与氨气纯度为99．999％，衬底为<111>晶向硅片，管式电炉在数据实验的前衬底使用基准程序进行清洗。

。本文使用氮化ga2o3方法，在管式电炉中成功地合成了高质量多晶gan颗粒，探索了一种低本钱制备gan材料新工艺。

    样品形貌与构造使用hitachi(tokyo，japan)h-800透射电镜(tem)进行表征。结果表明，用管式电炉合成gan为多晶体，属六方晶系。箱式电炉氮化时，管式电炉温度控制在1000℃；流量为400ml／min；时间为3h。图1说明，si衬底上天生产物为gan，纯度很高，为多晶体，后六方晶系(hexagonal)，晶格常数为ao=0．3186am，bo=0．3186am，co=0．5178nm，对ga2o3为ga源，氨气(nh3)为n源，通过氮化说明合成了高质量gan晶粒。